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激光二极管公司介绍半导体二极管的原理

发布时间:2016-06-29 来源:http://www.hwnlaser.com/news/71.html

 半导体里面的光发射一般情况起因于载流子的一个复合。当半导体的PN结加有着正向电压的时候,会削弱PN的结势垒,导致迫使电子从N区经过PN结写入到P区,空穴从P区通过PN结写入到N区,这些写入PN结的邻近的非平衡电子以及空穴将会发作复合,然后发射出波长为λ的一个光子,它的公式如下面:λ = hc/Eg ⑴式里面:h—普朗克常数; c—光速; Eg—半导体的禁带宽度。激光二极管,激光模组,激光灯公司介绍半导体二极管的原理
上面说的因为电子和空穴的自觉复合而发光的景象称之为自觉的辐射。当自觉辐射所发生的光子通过半导体的时候,一旦通过已经发射的电子—空穴对于邻近,就可以激励二者复合,从而发生新光子,这种光子可以诱使已经激起的载流子复合从而宣布新光子景象称之为受激辐射。如果说写入的电流足够大,有可能会构成及热平衡状况相反的一个载流子散布,也就是粒子数回转。当有源层里面的载流子在很多回转的情况下,少量自觉辐射发生的光子因为谐振腔两端面往复反射而发生感应辐射,形成选频谐振正反馈,或许说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时,就可从PN结宣布具有杰出谱线的相干光——激光,这即是激光二极管的简略原理。

激光二极管


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